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碳方程新材料公司在CVD長(zhǎng)晶設(shè)備研發(fā)生產(chǎn)上形成了完善的設(shè)備及產(chǎn)品體系，并且在CVD金剛石實(shí)驗(yàn)室生長(zhǎng)工藝研發(fā)上取得了突破性的進(jìn)展，以“設(shè)備+工藝”為方針，相互引導(dǎo)，相互依托，以規(guī)模生產(chǎn)為研發(fā)基石，共筑”MPCVD”生產(chǎn)技術(shù)藍(lán)圖。

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企業(yè)概況

碳方程新材料（山西）有限公司

公司致力于發(fā)展國(guó)民經(jīng)濟(jì)的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)，為“中國(guó)制造”貢獻(xiàn)自己的一份力量!經(jīng)過(guò)多年的砥礪前行，公司形成了集研發(fā)生產(chǎn)、銷(xiāo)售為一體格局。擁有多項(xiàng)國(guó)家專(zhuān)利及多名歸國(guó)專(zhuān)家。

公司專(zhuān)業(yè)從事MPCVD 技術(shù)研發(fā)和MPCVD 長(zhǎng)晶設(shè)備、CVD大單晶金剛石的制造及生產(chǎn)。不僅可為客戶(hù)提供專(zhuān)業(yè)的設(shè)備成熟的生長(zhǎng)工藝，亦可為客戶(hù)提供成套的技術(shù)方案，實(shí)現(xiàn)交鑰匙工程。

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碳方程核心 MPCVD 設(shè)備盤(pán)點(diǎn)：多規(guī)格覆蓋，解鎖金剛石量產(chǎn)新高度
碳方程半導(dǎo)體設(shè)備制造（山西）有限公司聚焦與第三、四代半導(dǎo)體材料專(zhuān)用設(shè)備領(lǐng)域，是集研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售、服務(wù)于一體的高新技術(shù)企業(yè)。TFC-10800D MPCVD設(shè)備設(shè)備采用2450MHz 微波頻率與10KW 功率組合，功率適配性強(qiáng)，操作門(mén)檻更低，產(chǎn)能上，單爐可生產(chǎn) 7*7mm 規(guī)格的單晶金剛石 57 片，能穩(wěn)定生長(zhǎng) 3 英寸多晶金剛石
06
2026-03-06
喜訊 | 碳方程半導(dǎo)體設(shè)備制造（山西）有限公司成功獲評(píng)國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)
近日，全國(guó)高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)定管理工作領(lǐng)導(dǎo)小組辦公室發(fā)布《對(duì)山西省認(rèn)定機(jī)構(gòu) 2025 年認(rèn)定報(bào)備的第三批高新技術(shù)企業(yè)進(jìn)行備案的公示》，碳方程半導(dǎo)體設(shè)備制造（山西）有限公司憑借過(guò)硬的技術(shù)實(shí)力與創(chuàng)新能力，順利通過(guò)國(guó)家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)定。1關(guān)于高新技術(shù)企業(yè)高新技術(shù)企業(yè)認(rèn)定是國(guó)家為扶持和鼓勵(lì)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展、優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)
24
2025-12-24
碳方程 I 第九屆碳材料國(guó)際大會(huì)圓滿(mǎn)落幕
2025年第九屆國(guó)際碳材料大會(huì)于12月9日至11日在上海新國(guó)際博覽中心舉辦，此次展會(huì)全面集結(jié)“碳”產(chǎn)業(yè)鏈上下游力量，以“基礎(chǔ)材料—核心裝備—終端應(yīng)用”構(gòu)建起立體化展示矩陣，吸引了上萬(wàn)名專(zhuān)業(yè)觀(guān)眾到場(chǎng)參觀(guān)，現(xiàn)場(chǎng)人潮涌動(dòng)、氣氛熱烈。碳方程作為此次展會(huì)的重要參與者，憑借其核心MPCVD設(shè)備與生產(chǎn)產(chǎn)品精彩亮相，成為展會(huì)的一
12
2025-12-12
金剛石冷卻技術(shù)，鉆石散熱走入AI服務(wù)器
金剛石熱導(dǎo)率最高達(dá)2200W/m·K，是銅的5倍、鋁的10倍，可讓GPU降溫30℃+、算力能效提升15%-22%，完美解決千瓦級(jí)芯片“高熱瓶頸”。機(jī)構(gòu)測(cè)算：2030年僅AI芯片領(lǐng)域，金剛石散熱市場(chǎng)空間就達(dá)480-900億元，2026年被業(yè)內(nèi)定為量產(chǎn)元年。隨著 AI 芯片功耗持續(xù)向 1400W 甚至 2000W 的物理極限突破，傳統(tǒng)純銅散熱材料已難以滿(mǎn)足高熱流
13
2026-03-13
突破金剛石散熱難題：溫度降低23℃，技術(shù)可規(guī)?；糜贏(yíng)I芯片
隨著 AI 計(jì)算、高頻通信與功率電子器件的功耗持續(xù)飆升，芯片熱流密度正快速逼近傳統(tǒng)散熱材料的物理極限，熱管理難題已成為制約算力提升與器件長(zhǎng)期可靠性的核心瓶頸。近日，萊斯大學(xué)科研團(tuán)隊(duì)帶來(lái)突破性解決方案 —— 開(kāi)發(fā)出可規(guī)?；圃斓倪x擇性區(qū)域金剛石散熱層技術(shù)，通過(guò)創(chuàng)新的 “自下而上” 成核工程策略，直接在芯片表面
28
2026-02-28
航天級(jí)封裝，單晶金剛石解鎖空間探測(cè)全新應(yīng)用可能
隨著深空探測(cè)任務(wù)的快速發(fā)展，人類(lèi)探測(cè)范圍正從近地軌道擴(kuò)展至月球、火星、木星及太陽(yáng)附近等極端空間環(huán)境。這些區(qū)域輻射強(qiáng)度高、溫度劇烈波動(dòng)（溫差可超120℃），對(duì)粒子探測(cè)器的輻射硬度、高溫穩(wěn)定性和長(zhǎng)期可靠性提出了嚴(yán)苛要求。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體探測(cè)器因窄禁帶（1.12 eV）特性，在強(qiáng)輻射和高溫度下漏電流急劇上升、晶體損傷
30
2026-01-30
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